Xử lý khí thải

Thiết bị xử lý khí thải chủ yếu đề cập đến một thiết bị bảo vệ môi trường sử dụng các công nghệ xử lý khác nhau để phục hồi, loại bỏ và giảm các thành phần có hại trong khí thải, để bảo vệ môi trường và thanh lọc không khí, do đó môi trường của chúng ta không bị ô nhiễm.

Phân loại thiết bị để xử lý khí thải

Thiết bị hấp thụ

Phương pháp hấp thụ sử dụng các dung môi dễ bay hơi hoặc không bay hơi thấp để hấp thụ VOC, sau đó tách chúng dựa trên sự khác biệt về tính chất vật lý giữa VOC và chất hấp thụ.

Khí chứa VOC đi vào tháp hấp thụ từ phía dưới và tiếp xúc với chất hấp thụ từ đỉnh tháp trong dòng chảy ngược trong quá trình đi lên. Khí tinh khiết được thải ra từ đỉnh tháp. Sau khi hấp thụ VOC, chất hấp thụ đi vào đỉnh của tháp tước thông qua bộ trao đổi nhiệt và giải hấp trong điều kiện nhiệt độ cao hơn nhiệt độ hấp thụ hoặc áp suất thấp hơn áp suất hấp thụ. Độ hấp thụ được giải hấp được ngưng tụ bởi một bình ngưng dung môi và trở lại tháp hấp thụ. Khí VOC được chiết xuất đi qua thiết bị ngưng tụ và bộ tách khí-lỏng trước khi rời khỏi tháp tước dưới dạng khí VOC tương đối tinh khiết, sau đó được tái chế và tái sử dụng. Quá trình này phù hợp để tinh chế khí với nồng độ VOC cao và nhiệt độ thấp, và yêu cầu điều chỉnh quy trình tương ứng trong các tình huống khác.

Thiết bị hấp phụ

Khi xử lý hỗn hợp chất lỏng bằng vật liệu rắn xốp, một thành phần hoặc thành phần nhất định trong chất lỏng có thể được hấp phụ lên bề mặt và cô đặc vào nó, được gọi là hấp phụ. Khi hấp phụ và xử lý khí thải, đối tượng bị hấp phụ là chất ô nhiễm khí, hấp phụ khí-rắn. Thành phần khí hấp phụ được gọi là chất hấp phụ, và vật liệu rắn xốp được gọi là chất hấp phụ.

Sau khi bề mặt rắn hấp phụ, chất hấp phụ, một phần của chất hấp phụ có thể tách ra khỏi bề mặt hấp phụ, hiện được gắn vào. Sau một thời gian hấp phụ, do nồng độ chất hấp phụ bề mặt, khả năng hấp phụ của chúng giảm đáng kể và các yêu cầu cho tinh chế hấp phụ được đáp ứng. Tại thời điểm này, một số biện pháp nhất định cần phải được thực hiện để giải phóng các chất hấp phụ đã được hấp phụ vào chất hấp phụ để tăng cường khả năng hấp phụ của nó. Quá trình này được gọi là tái sinh hấp phụ. Do đó, trong kỹ thuật hấp phụ thực tế, đó là chu kỳ tái tạo hấp phụ và hấp phụ lặp đi lặp lại được sử dụng để loại bỏ các chất ô nhiễm khỏi khí thải và thu hồi các thành phần hữu ích từ khí thải.

Thiết bị thanh lọc

Phương pháp đốt cháy rất hiệu quả trong việc xử lý nồng độ cao của các hợp chất VOC và mùi. Nguyên tắc của nó là đốt cháy các tạp chất này bằng không khí dư thừa, hầu hết tạo ra hơi carbon dioxide và hơi nước, có thể được phát ra trong khí quyển. Tuy nhiên, khi xử lý các hợp chất hữu cơ có chứa clo và lưu huỳnh, các sản phẩm đốt của HCl hoặc SO2 đòi hỏi phải xử lý thêm các khí đốt sau.

Thiết bị quản trị

Plasma là một loại khí ở trạng thái ion hóa, và tên tiếng Anh của nó là plasma. Nó được đặt tên bởi nhà khoa học Mỹ Muir vào năm 1927 khi nghiên cứu hiện tượng xả trong hơi thủy ngân ở áp suất thấp. Plasma bao gồm một số lượng lớn các electron, các nguyên tử trung tính, các nguyên tử trạng thái kích thích, photon và các gốc tự do, nhưng số lượng điện tích và các ion dương phải thể hiện tính trung lập điện, đó là ý nghĩa của "huyết tương". Plasma khác với chất rắn, chất lỏng và khí ở nhiều khía cạnh của độ dẫn và ảnh hưởng điện từ, do đó nó cũng được gọi là trạng thái thứ tư của vật chất. Theo trạng thái, nhiệt độ và mật độ ion, các plasma thường có thể được chia thành các plasma nhiệt độ cao và các plasma nhiệt độ thấp (plasma khối và lạnh). Mức độ ion hóa của huyết tương nhiệt độ cao gần với 1 và các hạt khác nhau có nhiệt độ gần như giống nhau và ở trạng thái cân bằng nhiệt động. Nó chủ yếu được sử dụng trong nghiên cứu các phản ứng nhiệt hạch được kiểm soát. Mặt khác, huyết tương nhiệt độ thấp ở trạng thái không cân bằng trong đó nhiệt độ của các hạt khác nhau không giống nhau. Nhiệt độ electron (TE) lớn hơn hoặc bằng nhiệt độ ion (Ti), đạt hơn 104k, trong khi nhiệt độ của các ion và các hạt trung tính của nó có thể thấp tới 300-500k. Nói chung, các bộ phát điện tử khí thuộc về các plasma nhiệt độ thấp.